하드웨어 설계에 관련한 공개 강좌를 게재하는 공간입니다.
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바이패싱과 디커플링(Bypassing and Decoupling)
5. 전원과 접지판의 콘덴서 성분 (Power and Ground Plane Capacitance)
1) 콘덴서 성분 계산
= 콘덴서 판 사이 매질의 유전율 [F/m]
= 상대 유전율 (FR에서 4.5)
= 자유공간의 유전율,
= 전원판의 면 []
= 평판의 분리 []
= 전원판 사이의 콘덴서 값 [pF]
<일반적으로 사용되는 동작 범위와 콘덴서>
2) 디스크리트(Discrete) 콘덴서와 평판의 결합 효과
- 일반적으로 거의 모든 다층기판에서 1nH 이하의 코일 성분이 있다.
- 일반적으로 부품의 리드나 패턴에서는 2.5~10nH
- 따라서, 전원판을 이용한 Capacitance 사용이 좋다.
3) 묻혀진(Buried) 콘덴서
- 전원판과 접지판을 가까이 인접하여 만든다.(0.001in or, 0.025mm)
- 200MHz~300MHz 이상에서 사용된다.
- 특별한 제조 과정을 거친다.
- buried 콘덴서를 사용할 경우에는 디스크리트 콘덴서를 사용하지 않는다.