다른 컨버터 타입을 시험하다 보면 가끔씩 pre-turn on되는 현상이 있었습니다.
맨날 프로젝트 일정에 밀려서 왜 그런지 이유는 접어두고 지나간 기억이 있습니다.
동작상에 별 문제가 없으면 대부분 그냥 넘어가지 않나요? 연구하는 것도 아닌데?ㅎㅎ
답변 감사합니다.^^

셀프턴온..그런거 같습니다.
IGBT보다 FET를 사용하는게 효율상 좋지 않을까요?

om님의 의견과 같은 생각입니다. FET쪽이 좋을 거 같습니다.
이러한 Full Bridge Phase Shift 회로는 데드타임 컨드롤이 가장 중요하다고 보는데,
Output Capacitance가 가능한 한 적고 보디 다이오드의 리커버리 능력이 전제입니다.
I사의 CoolMOS가 되겠네요^^ 물론 실리콘 카바이드는 베스트 초이스이긴 하지만, 저는 가난해서요.
아무튼 위에 분들이 말씀하신 것처럼 게이트 파형이 튀는 이유는 셀프턴온이나, 스위칭 소자 문제일 가능성이 있다고 생각합니다.

igbt에는 고전압 고전류가 많아서, 아무래도 출력이 높은 회로에는 igbt를 사용하고 있습니다.
fet는 고전압 고전류 제품이 없고..
요즘은 igbt도 스윗칭 스피드가 향상이 되어서,선택의 폭이 넓어졌지만,
고전압에 사용되는 소자는 다른 방법이 별로 없습니다. 그냥 참고 igbt 사용하는 수밖에.ㅠㅠ
그리고 프리턴온되는 현상은 제가 알기로는 low쪽 스윗칭시 high의 gate가 온되는 현상인데,
오프된 high의 cgd 충전전류로 인해 짧은기간 on됩니다. 이때 버스가 쇼트되는데, 소자가 못 견디면,
조용히 dead합니다.
제가 아는 방법은 게이트와 소스 사이에 풀다운저항(10k정도)을 걸면 해결되는 것으로 압니다.
그래도 회로 구성해 보면 저런현상이 나오는데 그런것은 대부분 게이트회로와 fet회로의 배치가 잘못
되어서 그럴 것입니다.(회로구성시 선이 길어져서 선에 L 성분이 증가해서일 것입니다)
저런 문제가 생기면,해결도 안되고 오로지 노가다밖에 없고,시간이 흘러야 원인도 가까스레 알게 되고,
쟁이의 길은 험난합니다.ㅎㅎㅎ