바이패싱과 디커플링(Bypassing and Decoupling)

5. 전원과 접지판의 콘덴서 성분 (Power and Ground Plane Capacitance)

  1) 콘덴서 성분 계산
      

      

        = 콘덴서 판 사이 매질의 유전율 [F/m]
        = 상대 유전율 (FR에서 4.5)
        = 자유공간의 유전율, 
       = 전원판의 면 []
        = 평판의 분리 []
       = 전원판 사이의 콘덴서 값 [pF]

<일반적으로 사용되는 동작 범위와 콘덴서>

2) 디스크리트(Discrete) 콘덴서와 평판의 결합 효과
  - 일반적으로 거의 모든 다층기판에서 1nH 이하의 코일 성분이 있다.
  - 일반적으로 부품의 리드나 패턴에서는 2.5~10nH
  - 따라서, 전원판을 이용한 Capacitance 사용이 좋다.


3) 묻혀진(Buried) 콘덴서
  - 전원판과 접지판을 가까이 인접하여 만든다.(0.001in or, 0.025mm)
  - 200MHz~300MHz 이상에서 사용된다.
  - 특별한 제조 과정을 거친다.
  - buried 콘덴서를 사용할 경우에는 디스크리트 콘덴서를 사용하지 않는다.